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该文报道了采用四极质谱计实现在ＰＣＶＤ系统中对制备ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜时的硅烷射频辉光放电中性基因的在线测量。获取了在低压强、小放电功率条件下，ＳｉＨ〈，２〉与ＳｉＨ〈，３〉基团的相对丰度比。
辉光放电基团的质谱探测
【摘 要】
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该文报道了采用四极质谱计实现在ＰＣＶＤ系统中对制备ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜时的硅烷射频辉光放电中性基因的在线测量。获取了在低压强、小放电功率条件下，ＳｉＨ〈，２〉与ＳｉＨ〈，３〉基团的相对丰度比。
【机 构】
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大学物理系
【出 处】
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'96中国材料研讨会
【发表日期】
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1996年期
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