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介绍了一种采用 HK-first MG-last FDSOI工艺制作的选择性埋氧(SELBOX)器件.利用 TCAD,对不同背板掺杂类型和埋氧层窗口位置的 SELBOX器件进行直流仿真分析,再与FDSOI器件的直流参数进行比对,得到 SELBOX器件的直流性能对背板掺杂类型和埋氧层窗口位置的依赖关系.进一步分析 SELBOX器件的下表面电势分布,发现背板掺杂类型和埋氧层窗口位置对器件直流性能的物理调控机制.仿真结果表明,背板掺杂类型决定 SELBOX器件的直流性能能否得到增强,埋氧层窗口位置与漏端的距离决定器件直流性能增强的程度.