背板掺杂相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

背板掺杂相关论文

背板掺杂与窗口位置对SELBOX器件调控研究

介绍了一种采用 HK-first MG-last FDSOI工艺制作的选择性埋氧(SELBOX)器件.利用 TCAD,对不同背板掺杂类型和埋氧层窗口位置的 SEL......

期刊

FDSOI 埋氧层窗口位置背板掺杂物理机制

基于FDSOI工艺的SELBOX器件性能的背板掺杂及BOX窗口位置相关性研究

随着芯片的核心单元——器件尺寸的进一步降低,传统平面体硅MOS器件受到短沟道效应的挑战愈发严峻,生产率和性能均无法按照摩尔定......

学位

选择性埋氧器件 BOX窗口位置背板掺杂自热效应直流特性单粒子瞬态

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