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结合数学回归分析与物理应力实验的方法,研究了集成电路抗辐射性能无损筛选技术.通过一定的外界能量注入及总剂量辐照实验,探究电路典型参数的应变情况与电路耐辐射性能的关系,并确定其辐射敏感参数；建立预测集成电路抗辐射性能的多元线性回归方程,并对应力条件下的回归方程进行辐照实验验证.结果显示,数学回归分析与物理应力实验结合的方法提高了无损筛选的可靠性.