异质结双极晶体管的计算机模拟分析和优化设计

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:lcl427hjc
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一、引言 宽带隙发射极晶体管是Shockly于1951年提出的,70年代初发展起来的LEP,MBE和MOCVD外延技术才使这种器件得以实现,并充分体现出这种器件的优越性;同时也促进了OEIC的发展。本文对HBT直流稳态性能、频率及开关参数进行分析,对器件性能进行了优化设计。 I. INTRODUCTION Broad bandgap emitter transistors were proposed by Shockly in 1951. The LEP, MBE and MOCVD epitaxial techniques developed in the early 1970s enabled this device to be realized and fully demonstrated the superiority of this device; meanwhile, Promote the development of OEIC. In this paper, HBT DC steady-state performance, frequency and switching parameters are analyzed, and the device performance is optimized.
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