概述了电力电子器件的发展过程，分析了双极—MOS功率器件的发展现状，说明电力电子器件的发展难以满足应用领域对大功率、宽频率范围的要求。详细的研究分析了一种新型半导体功率器件—双极压控场效应晶体管（BJMOSFET）的结构特点、工作原理，这种器件拥有BJT和MOS两者的优点，具有功率大、频率宽等特点；并建立了BJMOSFET直流特性的三种解析模型、频率特性（大信号和小信号）模型和开关特性模型，讨论了其温度特性和功率特性；得到了该器件直流、频率、开关、温度和功率等特性的有关表达式，指出了器件结构优化设计的方向；在这些模型的基础上，采用数值计算和解析模拟的方法，利用多种器件和电路模拟软件对BJMOSFET进行了计算机模拟分析，初步验证了理论分析计算的结果，为器件的实际生产提供了理论依据。