【摘 要】
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本文以Anderson模型为基础,采用肖克莱漂移-扩散模型对HBT进行分析,将异质结中存在的热电子效应,采用扩散系数等效法引入器件的分析模型中,并在此基础上建立了一套对HBT性能
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本文以Anderson模型为基础,采用肖克莱漂移-扩散模型对HBT进行分析,将异质结中存在的热电子效应,采用扩散系数等效法引入器件的分析模型中,并在此基础上建立了一套对HBT性能参数、基本特性的分析程序和性能参数的优化程序,得到了与器件结果相吻合的结果。
Based on the Anderson model, the Shockley drift-diffusion model is used to analyze the HBT. The thermoelectron effect existing in the heterojunction is introduced into the analytical model of the device by using the diffusion coefficient equivalence method. Based on this, A set of HBT performance parameters, the basic characteristics of the analysis procedures and performance parameters of the optimization program, and the device results are consistent with the results.
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