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使用Monte Carlo方法模拟350keVXe~+注入Cu/Ti双层结构,研究界面所造成的离子浓度分布的不连续性,并讨论界面位置对浓度分布的影响。在模拟600keV Bi注入Al/Ti双层结构时,当考虑有界面势存在,则其理论值与实验值符合得更好。
Monte Carlo计算枧模拟—离子注入双层薄膜中的浓度分布
【摘 要】
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使用Monte Carlo方法模拟350keVXe~+注入Cu/Ti双层结构,研究界面所造成的离子浓度分布的不连续性,并讨论界面位置对浓度分布的影响。在模拟600keV Bi注入Al/Ti双层结构时,当
【机 构】
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合肥工业大学真空教研室
【出 处】
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真空科学与技术学报
【发表日期】
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1989年1期
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