【摘 要】
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评述利用MOCVD技术在α-Al2O3衬底上生长GaN薄膜及InGaN／A1GaN双异质结(DH)结构的工艺与特性；从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件(温度、气流束源等)对表面形貌
【机 构】
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厦门大学物理系、化学系固体表面物理化学国家重点实验室
【基金项目】
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福建省自然科学基金!(No .E0 0 0 10 0 1),,中科院上海技术物理所红外物理国家实验室资助课题
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评述利用MOCVD技术在α-Al2O3衬底上生长GaN薄膜及InGaN／A1GaN双异质结(DH)结构的工艺与特性；从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层MOCVD生长条件(温度、气流束源等)对表面形貌、结晶形态、掺杂及其光电性能的影响。分析表明，GaN薄膜生长速率主要依赖于反应炉温度，气流束源摩尔流量速率。若生长温度太高，引起PL发光谱峰向长波侧移动；GaN缓冲层生长温度必须控制在550℃。高的V／Ⅲ双气束流比率能够抑制GaN发光谱中550nm辐射峰产生。为了获得高质量p-A1GaN、GaN层，控制生长
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