采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进......

为了得到高性能的GaN基发光器件，有源层采用MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法在生长了InGaN量子点，并通过原子力显微镜（AFM），透射......

评述利用MOCVD技术在α-Al2O3衬底上生长GaN薄膜及InGaN／A1GaN双异质结(DH)结构的工艺与特性；从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层M......