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本文借助背散射沟道分析技术系统地研究了Be离子注入InSb快速热退火后的剩余损伤,采用俄歇电子能谱仪分析了InSb表层组分的化学配比,并对背散射分析的结果进行了详细的讨论。
铍离子注入锑化铟快速热退火的背散射沟道分析
【摘 要】
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本文借助背散射沟道分析技术系统地研究了Be离子注入InSb快速热退火后的剩余损伤,采用俄歇电子能谱仪分析了InSb表层组分的化学配比,并对背散射分析的结果进行了详细的讨论。
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所,西安电子科技大学微电子研究所710071,710071
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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1992年1期
【基金项目】
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中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室的部分资助
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