三端负阻器件相关论文
利用硅双基区晶体管(DUBAT)产生负阻的原理,针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点,设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT(NDRHB......
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采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的“Λ”形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.......
将双基区晶体管与一光电探测器件相结合首次实现了三端负阻器件的光控调频效应。得到每ｌｕｘ光强发迹频率２．０×１０＾５Ｈｚ和每ｌｕｘ光强改变频率２．８×......
本文第一部分用较简单而不同于文献[1]的方法推导出双基区晶体管(DUBAT)有关的负阻参数,与实验结果符合良好;第二部分对功率型DUBA......
利用硅双基区晶体管（DuBAT）产生负阻的原理，针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点，设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT（NDRHBT）．经过......
采用双沟道结构和GaAs衬底，成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管．它具有RSTT典型的“A”形负阻，V特性和较宽的平坦谷值区．通过栅......
