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DUBAT负阻参数的推导和功率DUBAT的设计与研制
DUBAT负阻参数的推导和功率DUBAT的设计与研制
来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:nmjhurfdv
【摘 要】
:
本文第一部分用较简单而不同于文献[1]的方法推导出双基区晶体管(DUBAT)有关的负阻参数,与实验结果符合良好;第二部分对功率型DUBAT进行了设计并初步制成这种器件。
【作 者】
:
郭维廉
于彩虹
【机 构】
:
天津大学电子工程系,天津大学电子工程系300072,300072硕士研究生
【出 处】
:
固体电子学研究与进展
【发表日期】
:
1992年4期
【关键词】
:
三端负阻器件
负阻器件
单结晶体管
Three Terminal Negative Resistance Device
Negative Resistance
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本文第一部分用较简单而不同于文献[1]的方法推导出双基区晶体管(DUBAT)有关的负阻参数,与实验结果符合良好;第二部分对功率型DUBAT进行了设计并初步制成这种器件。
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