少子扩散长度相关论文
为了获得低噪声铟镓砷(InGaAs)焦平面,需要采用高质量的非故意掺杂InGaAs(u-InGaAs)吸收层进行探测器的制备.采用闭管扩散方式,实......
本文利用扫描电子显微镜(SEM)、电子束感生电流(EBIC)以及阴极荧光(CL)技术对氮化镓(GaN)基肖特基、PIN结型器件的截面进行了系统......
薄膜太阳能电池在不同偏压下量子效率(QE)会呈现非常不一样的结果。对不同波长范围内偏压量子效率的分析可以研究薄膜太阳能电池窗......
薄膜太阳能电池在不同偏压下的量子效率(QE)会呈现非常不一样的结果.对不同波长范围内偏压量子效率的分析可以研究薄膜太阳能电池......
Au掺杂是改善光伏型HgCdTe红外探测器性能的一种技术途径,通过Au掺杂来取代HgCdTe材料中的本征的Hg空位,可以提高材料的少子寿命和......
期刊
原料为物理法提纯多晶硅(UMG)的直拉法太阳能级单晶硅相对于西门子法提纯的Cz单晶硅来说是降低太阳电池成本的一种选择，尽管材......
薄膜太阳能电池在不同偏压下量子效率(QE)会呈现非常不一样的结果。对不同波长范围内偏压量子效率的分析可以研究薄膜太阳能电......
本文采用变面积结构测试方法获得了长波碲镉汞材料的少子扩散长度.介绍了该方法的理论基础,并根据实验数据计算拟合得到了扩散长度......
少数载流子扩散长度(L)是半导体材料的一个重要参量,它反映了晶体的完整性,与晶体的结晶质量、掺杂及晶体缺陷等有关。扫描电子显......
薄膜太阳能电池在不同偏压下的量子效率(QE)会呈现非常不一样的结果.对不同波长范围内偏压量子效率的分析可以研究薄膜太阳能电池......
应用扫描电子显微镜（SEM）对GaP半导体材料的p-n结进行线扫描，得到电子束感生电流（EBIC）的线扫描曲线.给出一简单模型，对GaP样品n区的EBIC......
对电子束入射方向与结面平行情形中电子束感生电流(EBIC)曲线线形进行了理论分析.阐述了E-BIC的基本原理和计算方法,并利用EBIC对......
本文分析了用表面光压(SPV)法测量扩散pn结扩散p区中平均少子扩散长度的可行性,给出了有效少子扩散长度L_0与结深x_i、扩散区及衬......
针对一种吸收层和发射层分离式结构的GaSb光电阴极,通过渐变函数描述异质结势垒能带结构,研究了外加偏压对异质结能带结构和GaSb光......
本文分析了用SPV法确定异型外延材料少子扩散长度的可行性,并对典型工艺参数,给出了有效少子扩散长度L_0与外延层厚度d、外延层及......
零偏压电阻-面积乘积(R0A)和反向饱和电流密度J0是决定光电二极管性能的重要参数.提出了一种对碲镉汞(Hg 1-xCdxTe)光伏器件的少子......
用微波介质波导法无接触测试了生长在半绝缘衬底上的ＧａＡｓ、ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ外延层的微波光是导谱和横向磁阻，给出了从微波光电导谱计算了少子扩散长度和......
用液结光伏谱方法首次在ＰＮ４３５０光伏谱仪 对国产ＭＯＣＶＤ设备 九个ｐＧａａＳ／ｎ－ＧａＡｓ外延样品ｐ型外延层的少子扩散长度Ｌｎ和掺杂浓度ＮＡ的关系作了测量和分析。......
表面光电压法近年来在半导体晶片的电学特性研究中发挥了重要作用。本文简述了该方法的测量原理，给出了直径１２５ｍｍ硅抛光片少子扩散长度及......
通过求解一维少数载流子扩散方程,对反射式GaSb光电阴极表面光电压谱理论公式进行了研究。利用MOCVD外延生长掺杂结构不同、吸收层......
本文改进了常规表面光电压测试少子扩散长度法,采用环形下电极消除了薄样品背面光电压信号对测量结果的影响;应用阻尼最小二乘法数......
用电化学液结方法测量了在４７０℃于氢气氛下开管扩锌ＩｎＰ样品的载流子浓度分布、不同深度的光伏谱和少子扩散长度。结果表明：在扩散区形成浓......
通过计算机数值求解半导体的基本方程，模拟了表面光伏法测量Ｎ型硅少子扩散长度时注入水平对测量值的影响。结果表明，当注入水平较高时......
少子扩散长度是太阳电池的一个非常重要的参数。一般说来，少子扩散长度越来，太阳电池材料的品质越高，太阳电池转换太阳能的效率越高，本......
在同一设备上综合地应用表面光伏谱，结合伏谱和光电流谱三种方法对半导体材料和器件的少子扩散长度做随工艺的非破坏性跟踪测定，本方......
本文用光伏法测定样品的少子扩散长度,论证放宽直线拟合的T.S.Moss条件,用红外吸收法测定样品的氧、碳含量并样品的品质,实验发现,......
通过变面积Si基HgCdTe器件变温I-V测试和暗电流特性拟合分析,研究了不同偏压下n-on-p型Si基HgCdTe光伏器件的暗电流成分与Si基HgCd......
薄膜太阳能电池在不同偏压下的量子效率（QE）会呈现非常不一样的结果.对不同波长范围内偏压量子效率的分析可以研究薄膜太阳能电池窗......
晶体硅不仅是微电子工业的基础材料，也是光伏工业的基础材料，其体内的杂质或缺陷会显著地影响各种硅基器件的性能。其中，过渡族金属就......
1997年Olson等提出采用Ga1-xInxN1-yAsy四元系材料来研制第三结子电池,因为这是化合物半导体材料中,唯一一种可通过调节x、y值（Ga0.......
本文用表面光伏法(SPV)测定了在(100)晶向 InP 衬底上液相外延生长的晶格匹配的In_(0.53)Ga_(0.47)As 外延层中的少子扩散长度。已......
