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提出了一种新型的Schottky体接触结构，能够有效抑制部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应，这种结构可以通过在源区形成一个浅的n^+-p结和二次侧墙，然后生长厚的硅化物以穿透这个的方法来实现，模拟结果表明这种结构能够成功抑制 SOI nMOSFET中存在的反常亚阈值斜率和kink效应，漏端击穿电压也有显著提高，这种抑制浮体效应的方法不增加器件面积，而且与体硅MOSFET工艺完全兼容。