【摘 要】
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本文研究了用氦和氢作为硅烷的稀释气体对GD淀积的a-Si:H膜的光电性质的影响.测量了用两种稀释气体GD淀积的a-Si:H膜的光电导、光学带隙、红外吸收和光致发光.实验结果表明用
【机 构】
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山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学物理系,山东大学物理系
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本文研究了用氦和氢作为硅烷的稀释气体对GD淀积的a-Si:H膜的光电性质的影响.测量了用两种稀释气体GD淀积的a-Si:H膜的光电导、光学带隙、红外吸收和光致发光.实验结果表明用氦稀释硅烷GD淀积的a-Si:H膜有更低的缺陷态密度,是一种廉价薄膜太阳电池可供选择的基本材料.
In this paper, the effects of helium and hydrogen as diluents on the optical and electrical properties of the a-Si: H films deposited by GD were investigated.The photoconductivity of a-Si: H films deposited by two kinds of dilute gases, GD, Optical bandgap, infrared absorption and photoluminescence.The experimental results show that the a-Si: H film deposited with GD diluted with helium has a lower density of defect states and is an inexpensive basic material for thin-film solar cells.
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