【摘 要】
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测试了不同静态栅极触发电压（输入电压）下诱发CMOS闩锁效应需要的电源电压和输出电压（即将闩锁时的输出电压）,发现静态栅极触发CMOS闩锁效应存在触发电流限制和维持电压限制两种
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测试了不同静态栅极触发电压（输入电压）下诱发CMOS闩锁效应需要的电源电压和输出电压（即将闩锁时的输出电压）,发现静态栅极触发CMOS闩锁效应存在触发电流限制和维持电压限制两种闩锁触发限制模式,并且此栅极触发电压-输出电压曲线是动态栅极触发CMOS闩锁效应敏感区域与非敏感区域的分界线。通过改变输出端负载电容,测试出了不同电源电压下CMOS闩锁效应需要的栅极触发电压临界下降沿,并拟合出了0 pF负载电容时的临界下降沿,最终得出了PDSOI CMOS电路存在的CMOS闩锁效应很难通过电学方法测试出来的结论。
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