低温退火制备Ti／4H-SiC欧姆接触

来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dfjds

【摘要】

：

实现SiC器件欧姆接触常规工艺需要800—1200℃的高温退火。研究了n型4H-SiC低温制备Ti欧姆电极的工艺及其基本电学特性。通过氢等离子体处理4H-SiC的表面，沉积Ti后可直接形成

【作者】

：

陈素华王海波赵亮马继开

【机构】

：

大连理工大学电信学院电子系

【出处】

：

半导体技术

【发表日期】

：

2008年2期

【关键词】

：

碳化硅氢等离子体欧姆接触比接触电阻率 SiC hydrogen plasma ohmic contact specific contact resi

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实现SiC器件欧姆接触常规工艺需要800—1200℃的高温退火。研究了n型4H-SiC低温制备Ti欧姆电极的工艺及其基本电学特性。通过氢等离子体处理4H-SiC的表面，沉积Ti后可直接形成欧姆接触，室温下比接触电阻率ρc为2．25×10^-3Ω·cm^2（ρc由圆形传输线模型CTLM测得），随着合金温度的升高，其欧姆特性逐渐增强，400℃合金后获得最低的比接触电阻率ρc为2．07×10^-4Ω·cm^2。采用X射线衍射（XRD）确定金属／n-SiC界面反应时形成的相

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