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采用高频C-V曲线方法,研究了50nm及15nmMOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程,二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在1×10^3Gy(Si)剂量下近乎相同,而在大于3×10^3Gy(Si)剂量下,50nm MOS电容的电荷密度约为15nm MOS电容的2倍,利用电离辐射后的隧道退火效应,计算出二种样品电离辐射陷阱电荷在Si-SO2界面附近分布的距离均约为4nm.