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ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件同体硅ＣＭＯＳ器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流较大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的。本文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜质量进而改善ＣＭＯ／ＳＯＳ器件特性的实验结果。
利用改进的固相外延技术改善CMOS／SOS器件的特性
【摘 要】
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ＣＭＯＳ／ＳＯＳ器件同体硅ＣＭＯＳ器件相比，载流子迁移率较低，沟道漏电电流较大，它们主要是由异质外延硅膜缺陷，特别是靠近硅蓝宝石界面的硅膜缺陷造成的。本文描述一种改进的固相外延技术提高外延硅膜
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1999年5期
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