【摘 要】
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制备了一种与Si-CMOS工艺线兼容的AlGaN/GaN HEMTs低温无金欧姆接触电极,分析了欧姆前刻槽深度和退火合金条件对Si基AlGaN/GaN异质结无金欧姆接触特性的影响。系统研究了具有
【机 构】
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华南理工大学广东省光电工程技术研究开发中心,华南理工大学电子与信息学院,中山市华南理工大学现代产业技术研究院
【基金项目】
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广东省应用型科技研发专项资金重大项目(2015B010127013、2016B010123004、2017B010112003);广州市产学研协同创新重大专项(201504291502518、201604046021);中山市科技发展专项(2017F2FC0002、2017A1007)资助项目
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制备了一种与Si-CMOS工艺线兼容的AlGaN/GaN HEMTs低温无金欧姆接触电极,分析了欧姆前刻槽深度和退火合金条件对Si基AlGaN/GaN异质结无金欧姆接触特性的影响。系统研究了具有不同欧姆前刻槽深度、不同退火条件的AlGaN/GaN异质结的Ti/Al/Ti/TiW无金电极的电流-电压特性、接触电阻率以及电极表面形貌。并利用低温退火的Ti/Al/Ti/TiW无金工艺制备了AlGaN/GaN异质结MISHEMT器件。实验结果表明,采用该无金工艺可得到比接触电阻率为5.44×10^-5Ω
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