氮化镓（GaN）材料具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率等优良特性,在功率半导体应用领域具有得天独厚的优势。同时,基于GaN材料的异......

制备了一种与Si-CMOS工艺线兼容的AlGaN/GaN HEMTs低温无金欧姆接触电极,分析了欧姆前刻槽深度和退火合金条件对Si基AlGaN/GaN异质......

回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们......