【摘 要】
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用P型Pb_(1-x)Ge_xTe(0.05≤x≤0.11)通过锑杂质扩散形成n-p结已制成光伏红外探测器。在77和195K之间的温度下进行了测量,其长波响应截止是3.5～4.5微米。禁带宽度温度系数在低
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用P型Pb_(1-x)Ge_xTe(0.05≤x≤0.11)通过锑杂质扩散形成n-p结已制成光伏红外探测器。在77和195K之间的温度下进行了测量,其长波响应截止是3.5～4.5微米。禁带宽度温度系数在低于铁电居里温度时为正而在高于该温度时即转变为负。
P-type Pb_ (1-x) Ge_xTe (0.05≤x≤0.11) diffused through the formation of antimony impurities n-p junction has been made of photovoltaic infrared detector. Measurements were made at a temperature between 77 and 195 K with a long-wave response cut-off of 3.5 to 4.5 microns. The bandgap temperature coefficient is positive below the ferroelectric Curie temperature and turns negative above this temperature.
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