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宽带隙Ⅲ族氮化物半导体材料在新型光电器件中具有潜在应用，它的研究目前已成为材料科学中一个极其活跃的前沿。本文从表面热力学反应的角度出发，着重介绍了ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａ以及ＩｎＡｌＮ等Ⅲ族氮化物材料的气相外延生长。
Ⅲ族氮化物半导体的气相外延生长及其热力学分析（1）
【摘 要】
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宽带隙Ⅲ族氮化物半导体材料在新型光电器件中具有潜在应用，它的研究目前已成为材料科学中一个极其活跃的前沿。本文从表面热力学反应的角度出发，着重介绍了ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａ以及ＩｎＡｌＮ等Ⅲ族氮
【机 构】
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河北大学电子信息工程学院
【出 处】
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半导体杂志
【发表日期】
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1999年1期
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