【摘 要】
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SiNx is commonly used as a passivation material for AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs). In this paper, the effects of SiN x passivation film o
【机 构】
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Tsinghua National Laboratory for Information Science and Technology,Tsinghua University,State Key La
【出 处】
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Chinese Physics B
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SiNx is commonly used as a passivation material for AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs). In this paper, the effects of SiN x passivation film on both two-dimensional electron gas characteristics and current collapse of AlGaN/GaN HEMTs are investigated. The SiNx films are deposited by high- and low-frequency plasma-enhanced chemical vapour deposition, and they display different strains on the AlGaN/GaN heterostructure, which can explain the experiment results.
SiNx is commonly used as a passivation material for AlGaN / GaN high electron mobility transistors (HEMTs). In this paper, the effects of SiN x passivation film on both two-dimensional electron gas characteristics and current collapse of AlGaN / GaN HEMTs are investigated. The SiNx films are deposited by high- and low-frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition, and they display different strains on the AlGaN / GaN heterostructure, which can explain the experiment results.
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