稳态过临界电子转移放大器(一)

来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:baronsong2009
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我们知道,砷化镓电子转移器件(TED)的载流子浓度(n_o)和有源区长度(L)的乘积是判别此类器件稳定与否的参数,通常以n_oL在5×10~(11)~10~(12)厘米~(-2)为界。大于这个临界值时,产生畴核振荡,如耿振荡等。小于这个临界值则稳定,可以进行放大。1965年Thim首次实现了这种亚临界电子转移放大。这种放大器,因其n_oL小和只在渡越时间频率及其谐波频率附近实现放大,因此功率和频率都受到限制。1969年Pollman等以大于这个临界值的电子转移器件实现了稳态反射型放大,称为过临界掺杂电子转移放大器(简称过临介TEA)。这类放大器的功率容量大于前者,并有宽带、低 We know that the product of carrier concentration (n_o) and active region length (L) of Gallium Arsenide Electron Transfer Device (TED) is a parameter that determines the stability of such devices. Usually, n_oL is in the range of 5 × 10 ~ 11) ~ 10 ~ (12) cm ~ (-2) as the boundary. Greater than this critical value, the resulting nuclear oscillation, such as Geng oscillation. Less than this threshold is stable, you can zoom. Thim first realized this subcritical electron transfer amplification in 1965. This amplifier, due to its small n_oL, amplifies only near the transit time frequency and its harmonic frequency, so both power and frequency are limited. In 1969, Pollman et al. Achieved a steady-state reflective amplification with an electron transfer device larger than this critical value, referred to as a supercritical doped electron transfer amplifier (hereinafter referred to as “over-mediated TEA”). The amplifier's power capacity is greater than the former, and there is broadband, low
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