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建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了GAT的栅屏蔽效应的解析表达式 ,并借助计算机对栅屏蔽效应给以证实。该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考。
GAT栅屏蔽效应二维解析模型
【摘 要】
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建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了GAT的栅屏蔽效应的解析表达式 ,并借助计算机对栅屏蔽效应给以证实。该模型可供优化设计双极型高
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2000年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金!( No.698962 60 -0 6),,国家高技术研究发展计划!( 863 -71 5-0 1 0 )
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