论文部分内容阅读
离子注入机ⅦSta平台对≤130 nm尺寸CMOS工艺在整个能量和剂理范围提供单片注入.这些注入机的特征是硬件和设计原理通用,并包含离子束注入角控制、剂量测定和终端站设计.这种方法对重叠剂量范围能使工艺可完全互换,并对引起制造所有权成本(COO)降低提供了最大的灵活性.一个完整工艺的透彻性需要剂量形貌特征精确匹配,并很好地说明这一能力、晕圈效应、VT和延展注入.此外,也证实了ⅦSta平台的单片设计消除了缺陷来源,确保了无风险工艺互换.