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利用硅双基区晶体管（DuBAT）产生负阻的原理，针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点，设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT（NDRHBT）．经过特性和参数测试，证明此种NDRHBT具有显著的微分负阻效应，并发现负电流区负阻效应和光照可改变其I-V特性，器件模拟结果和测试结果基本一致．
一种新型结构的InGaP／GaAs负阻异质结晶体管
【摘 要】
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利用硅双基区晶体管（DuBAT）产生负阻的原理，针对HBT器件结构和MBE材料结构的特点，设计并研制出一种基区刻断结构的负阻型HBT（NDRHBT）．经过特性和参数测试，证明此种NDRHBT具有显著的微
【机 构】
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天津大学电子信息工程学院,中国科学院物理研究所,澳大利亚国立大学
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2005年9期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展规划资助项目（批准号：2002CB311905）
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