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采用工业标准0.6μm CMOS工艺设计了以反向击穿硅p-n结为基础的光发射器件。讨论了该器件的光发射机理。利用商业模拟软件对器件的工作特性进行了模拟，包括器件的正向和反向I-V特性、p区掺杂浓度对击穿电压的影响以及门电压对器件发光强度的调制特性的影响等。结果表明该器件是一种很有前途的硅发光器件，在光互连等领域具有广阔的应用前景。