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低温Si—GSMBE中Si2H6的热裂解及对Si生长的影响
低温Si—GSMBE中Si2H6的热裂解及对Si生长的影响
来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:woshiwl0000
【摘 要】
:
为提高外延SiGe/Si HBT材料中Si发射极的生长速率,研究了Si2H6预热温度对Si生长速率的影响,结果表明在一很窄的温区内,Si的生长速率提高了一倍,进一步升温Si的生长速率迅速下降,用四级质谱仪对低温Si-GSMBE中SiH6的热
【作 者】
:
李建平
黄大定
【机 构】
:
中国科学院半导体研究所材料中心
【出 处】
:
半导体学报
【发表日期】
:
1999年7期
【关键词】
:
硅
锗化硅
外延生长
GSMBE
热裂解
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为提高外延SiGe/Si HBT材料中Si发射极的生长速率,研究了Si2H6预热温度对Si生长速率的影响,结果表明在一很窄的温区内,Si的生长速率提高了一倍,进一步升温Si的生长速率迅速下降,用四级质谱仪对低温Si-GSMBE中SiH6的热裂解过程进行了研究,对该现象做了解释。
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