硅平面薄膜相关论文
本文在大量的实验结果基础上,给出了KOH自停止工艺的优化参数.利用KOH自停止腐蚀技术,我们制备了微悬梁,薄膜,薄膜光栅,加速度计等......
研制了用于激光印痕研究的Si平面薄膜和刻蚀膜。膜制备的主要工艺采用氧化、扩散、光刻等现代半导体技术，并结合自截止腐蚀技术。Si......
介绍以氧化、扩散、光刻等现代半导体技术结合化学腐蚀工艺实现对Ｓｉ片的定向自截止腐蚀，制备获得用于研究驱动光束不均匀性的自支撑Ｓｉ平......
