【摘 要】
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本文介绍了双极晶体管的中子辐射损伤常数k的重要性和确定K值的实验方法。给出了国产双极硅晶体管损伤常数K与发射极电流密度Je间的实验结果,还介绍了利用k值预估中子辐射环
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本文介绍了双极晶体管的中子辐射损伤常数k的重要性和确定K值的实验方法。给出了国产双极硅晶体管损伤常数K与发射极电流密度Je间的实验结果,还介绍了利用k值预估中子辐射环境下工作的双极晶体管增益退化的方法。
This paper introduces the importance of neutron radiation damage constant k for bipolar transistors and the experimental method for determining K value. The experimental results between the damage constant K and the emitter current density Je of a domestic bipolar silicon transistor are given. The method to estimate the gain degradation of a bipolar transistor using k value to predict the working of the diode is also introduced.
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