【摘 要】
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利用真空磁过滤弧沉积技术制备出一种高ｓｐ３含量的非晶碳膜———非晶金刚石薄膜，并对这种非晶金刚石薄膜的场电子发射特性及其发射机理进行了研究．实验结果表明，在阈值电场低于２０Ｖ／μｍ情
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室
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利用真空磁过滤弧沉积技术制备出一种高ｓｐ３含量的非晶碳膜———非晶金刚石薄膜，并对这种非晶金刚石薄膜的场电子发射特性及其发射机理进行了研究．实验结果表明，在阈值电场低于２０Ｖ／μｍ情况下，得到的场发射电流达２０—４０μＡ，薄膜的电子发射行为符合ＦｏｗｌｅｒＮｏｒｄｈｅｉｍ场发射理论．研究表明，这种非晶金刚石薄膜具有负的电子亲合势和较小的有效功函数以及相对较低的禁带宽度
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