【摘 要】
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为了降低带隙基准电压源的失调电压,针对传统的输入失调存储技术引入共模反馈与偏置电路的问题,提出了一种带新型失调消除技术的带隙基准电压源。电路结构采用了四输入运放与辅助运放相结合的方式,其中四输入运放主要作用是降低温漂,辅助运放的作用是失调消除。提出的基准电压源不仅能够实现低温漂特性,而且能够简化电路结构。电路采用0.35μm CMOS工艺实现。仿真结果表明,带隙基准电压源在-55~+125℃范围内的温度系数为2.92×10-6/℃。运用蒙特卡罗方法进行仿真,其失调电压平均值约为7 m
【基金项目】
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陕西省自然科学基础研究计划(2020JM-583)。
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为了降低带隙基准电压源的失调电压,针对传统的输入失调存储技术引入共模反馈与偏置电路的问题,提出了一种带新型失调消除技术的带隙基准电压源。电路结构采用了四输入运放与辅助运放相结合的方式,其中四输入运放主要作用是降低温漂,辅助运放的作用是失调消除。提出的基准电压源不仅能够实现低温漂特性,而且能够简化电路结构。电路采用0.35μm CMOS工艺实现。仿真结果表明,带隙基准电压源在-55~+125℃范围内的温度系数为2.92×10-6/℃。运用蒙特卡罗方法进行仿真,其失调电压平均值约为7 m
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