【摘 要】
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本文采用0.13μm CMOS工艺,设计了一款FLASH ADC.电路设计以及芯片制造工艺的不确定性导致的不匹配性会在比较器输入端产生直流失调电压.直流失调电压的存在会影响FLASH ADC的微分非线性误差(DNL)、积分非线性误差(INL)、精度等特性,消除直流失调电压对FLASH ADC的性能提高至关重要.本设计采用了时序直流失调电压消除技术,将直流失调电压转换为时城内的相位差形式,采用数字调
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会
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本文采用0.13μm CMOS工艺,设计了一款FLASH ADC.电路设计以及芯片制造工艺的不确定性导致的不匹配性会在比较器输入端产生直流失调电压.直流失调电压的存在会影响FLASH ADC的微分非线性误差(DNL)、积分非线性误差(INL)、精度等特性,消除直流失调电压对FLASH ADC的性能提高至关重要.本设计采用了时序直流失调电压消除技术,将直流失调电压转换为时城内的相位差形式,采用数字调节相位差,达到消除直流失调电压的目的.仿真结果显示,在采样率为3MHz,此6bit FLASH ADC的精度为10mv,可消除最小为4mv的失调电压.
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