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基于实验与物理分析的RH—SiC射频功率MESFET大信号非线性精确电容模型
采用电荷控制理论和载流子速度饱和理论的物理分析方法,并结合Statz、Angelov等经验模型的描述方法,提出了常温下针对4H-SiC射频功率......
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4H-SIC
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RF power MESFET
nonlinear largesignal mod
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