低频功率单片线性集成电路的制造与分析

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一、绪言 目前国内线性集成电路的制造多采用标准的双极工艺,由于工艺水平的限制,在设计电路元器件结构时也受到限制。为了工艺简单,通常都采用横向pnp管和纵向npn管的结构,特别是作为低频功率放大,由于横向pnp管其高频性能比npn管相差较大,其代表性的特征频率大约3至5兆赫,此外,h_(FE)的线性也不 I. INTRODUCTION At present, the manufacturing of linear integrated circuits in China mostly adopts the standard bipolar process. Due to the limitation of the process level, the design of circuit components is also limited. In order to process simple, usually using horizontal pnp and longitudinal npn tube structure, especially as a low-frequency power amplifier, because of the high-frequency performance of lateral pnp tube than npn tube large difference, the typical characteristic frequency of about 3 to 5 MHz In addition, the linearity of h_ (FE) is not
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