【摘 要】
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以有机硅为硅源，采用碱性水热合成制备Si-MCM-41，借助XRD，N2吸附-脱附表征手段系统研究晶化时间、模板剂对其长程有序结构的影响．结果表明：晶化过程中必须调节体系的pH，样品的六方
【机 构】
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石油大学重质油国家重点实验室,吐哈油田原稳厂
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以有机硅为硅源，采用碱性水热合成制备Si-MCM-41，借助XRD，N2吸附-脱附表征手段系统研究晶化时间、模板剂对其长程有序结构的影响．结果表明：晶化过程中必须调节体系的pH，样品的六方晶相才会随晶化时间的增长而不断地生长和完善．长时间的晶化有利于孔壁增厚，对于提高Si-MCM-41的稳定性是有利的，但同时比表面积呈现下降趋势．综合考虑六方有序结构的生长和完善以及孔壁的厚度、比表面积等因素，确定晶化时间为120h．增加模板剂（template）浓度会促进Si—MCM-41孔结构形成和排列的规整性，当模板
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