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用国产ＭＢＥ设备生长出ＩｎＰ衬底晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多量子阱并对材料的量子限制Ｓｔａｒｋ效应及共与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性进行研究，用种材料制作的脊波导结构电吸收调制器在２．４Ｖ驱动电压下实现了２０ｄＢ以上消光比，光３ｄＢ带宽达３ＧＨｚ。
InGaAs／InAlAs多量子阱电吸收光调制器
【摘 要】
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用国产ＭＢＥ设备生长出ＩｎＰ衬底晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多量子阱并对材料的量子限制Ｓｔａｒｋ效应及共与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性进行研究，用种材料制作的脊波导结构电吸收调制器在２．４Ｖ驱动电压下实现
【机 构】
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清华大学电子工程系,中国科学院物理研究所,中国科学院半导体研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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1998年1期
【基金项目】
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863高技术计划,国家自然科学基金
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