BF^+2注入单晶硅和多晶硅栅快速热退火氟迁移特性的SIMS分析

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本文借助SIMS技术,系统地分析了45keV,1×10^-14,2×10^-15和5×10^-15cm^-2BF^+2注入单晶硅和80keV,2×10^15cm^-2BF^+2注入多晶硅栅在快速退火条件下,F在单昌硅和多晶硅栅中的分布剖面,并对F在单晶硅和多晶硅栅中的迁移特性进行了深入分析和讨论。
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