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研究了等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氢氧化硅（ＳｉＯＮ）薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）光互连中的潜在应用。
PECVD SiON薄膜的工艺控制、性质及其潜在应用
【摘 要】
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研究了等离子增强化学气相淀积（ＰＥＣＶＤ）氢氧化硅（ＳｉＯＮ）薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）光互连中的潜在应用。
【机 构】
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哈尔滨工业大学应用物理系，中国科学院上海冶金研究所，辽宁师范大学物理系
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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1995年07期
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