采用温度振荡法和改进的布里奇曼法进行了CdGeAs2多晶合成与单晶生长,生长出?28 mm×65 mm完整无开裂的CdGeAs2单晶体.用金刚石外......

基于第一原理赝势平面波方法，采用密度泛函理论的局域密度近似（LDA）方法计算了CdGeAs2晶体的介电函数，并由此得到红外波段的折射率ne、......

报道了一种新型的CdGeAs2晶体择优腐蚀剂,配方为：H2O2（30%）∶NH4OH（含NH325%-28%）∶NH4Cl（5mol/L）∶H2O=1 mL∶1.5 mL∶1.5 mL∶2 mL。将......

采用AIM-8800红外显微镜观察了CdGeAs2晶体的面扫描红外透过图像,分别在2.3～4μm、4～8μm和8～18μm三个波段对退火前后的CdGeAs2晶片......

CdGeAs2晶体是一种性能优异的三元Ⅱ-Ⅳ-Ⅴ2族黄铜矿类半导体化合物。它具有非常优异的非线性光学性质,如极高的非线性光学系数(23......