论文部分内容阅读
采用基于局域密度泛函理论和虚晶近似下的从头赝势法,研究Si(001)和Ge(001)衬底上的应变Ge1-yCy合金,其带隙随碳含量和晶格失配度的变化情况.结果发现,带隙对应变条件非常敏感.硅衬底上应变Ge1-yCy合金的带隙随碳组分的增加而增加,而锗衬底上应变Ge1-yCy合金的带隙随碳组分的增加而减小.