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多晶硅薄膜晶体管（P-Si TFTs）技术在SOP（system on panel）显示应用中发挥着越来越重要的作用。随着尺寸的不断缩小，P-SiTFT的Kink效应越来越明显，对有源液晶显示矩阵和驱动电路的性能影响很大。对发生Kink效应的物理机制、二维数值仿真及其一维解析模型进行了分析，讨论了晶粒边界、沟道长度与Kink效应的关系，提出建立适合电路仿真的一维解析模型的关键与展望。