冷烧结工艺（Cold Sintering Process,CSP）是一种全新的陶瓷烧结技术,该技术通过引入液相,相比于传统高温烧结（900℃-1500℃）,可以在近乎室温的温度（<300℃）下实现陶瓷致密化,近两年来在国际上受到广泛关注。本文通过冷烧结工艺制备微波复合陶瓷,对复合陶瓷的微观结构与微波介电性能三参数（介电常数ε_r,品质因数Qf=Q×f,谐振频率温度系数τ_f）的物性关联规律展开研究。最后,优选高品质复合陶瓷制作5G原型陶瓷天线,测试原型天线电磁性能。本文主要内容如下:（1）采用冷烧结在200℃,500MPa下烧结60分钟成功制备出（1-x）Li₂MoO₄（LMO）-x Mg₂SiO₄（MSO）（x=0、5、10、15、20、25、30、50、90wt%）体系复合陶瓷,相对密度在85%-100%范围内。XRD、EDS和Raman测试表明:（1-x）LMO-x MSO体系复合陶瓷中只存在LMO和MSO两相,没有其它相,SEM测试显示复合陶瓷具有致密的微观结构。（1-x）LMO-x MSO（x=0、5、10、15、20、30wt%）复合陶瓷的ε_r范围为5.05～5.3,Q×f范围为9450～24320 GHz。（2）采用冷烧结在160℃,300MPa下烧结60分钟成功制备出（1-x）Li WVO₆（LWVO）-x K₂MoO₄（KMO）（x=60、65、70、75、80、90wt%）体系复合陶瓷,体系陶瓷相对密度大于92%。XRD、Raman测试表明,（1-x）LWVO-x KMO体系复合陶瓷中只存在LWVO和KMO两相,没有其它相。（1-x）LWVO-x KMO体系复合陶瓷的ε_r值范围为6.8～8.5,Q×f值范围为2050GHz～7180GHz,τ_f值范围为-49ppm/℃～+25ppm/℃。30wt%LWVO-70wt%KMO复合陶瓷,获得近零温度系数,其ε_r～7.8,Q×f～4510GHz,τ_f～1.3ppm/℃。（3）采用冷烧结在180℃,400MPa下烧结60分钟成功制备出（1-x）CaSnSiO₅（CSSO）-x K₂MoO₄（KMO）（x=20、30、35、40、50、60、70、80、90、100wt%）体系复合陶瓷,其相对密度≥98%。XRD、EDS和Raman测试表明:（1-x）CSSO-x KMO体系复合陶瓷中只存在CSSO和KMO两相,没有其它相,SEM测试显示复合陶瓷具有致密的微观结构。（1-x）CSSO-x KMO体系复合陶瓷随着KMO质量百分比的增加,ε_r值和τ_f值降低,而Q×f值增加。65wt%CSSO-35wt%KMO复合陶瓷,获得近零的τ_f值,其微波介电性能:ε_r～9.17,Q×f～6240GHz,τ_f～﹣0.5ppm/℃。采用冷烧结工艺将65wt%CSSO-35wt%KMO复合陶瓷与银共烧,SEM和EDS证实CSSO-KMO-Ag三者间没有发生化学反应,化学兼容。使用65wt%CSSO-35wt%KMO复合陶瓷材料作为基板,设计制造中心工作频率为5.2 GHz的5G原型陶瓷微带贴片天线。该天线的S11在-10d B的带宽为144MHz,在5.2 GHz时的天线增益为5.7d Bi,总效率为88.4%。该天线可用于5 GHz工业,科学和医学（ISM）频谱。