垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)由于高输入阻抗、低驱动功率及高开关速度等优势,已广泛应用于各种功率集成电路领域。SPICE器件模型是由SPICE仿真器使用的基于文本描述的模型,是连接器件工艺与电路设计的桥梁。然而,目前业界还没有被广泛认可的功率VDMOS器件SPICE模型,为此,针对功率VDMOS器件SPICE模型的深入研究意义重大。本文系统建立了一套完整的功率VDMOS器件SPICE模型,包括基于表面势的直流特性模型和基于电荷的交流特性模型。直流特性建模时,将器件分为沟道区、积累层电阻区、寄生JFET区、N-外延层区以及N+衬底区5个部分,提出了全新的基于表面势的沟道区模型和积累层电阻模型,进而对寄生JFET区耗尽及夹断两种状态进行分析,建立了寄生JFET区模型,根据外延层区和衬底区的电流路径,建立了N-外延层模型和N+衬底区模型。另外,本文还建立了包括栅源电容Cgs模型、栅漏电容Cgd模型、漏源电容Cds模型在内的交流特性模型。随后,通过Verilog-A语言对上述功率VDMOS器件模型进行描述,运用测试平台获取器件的直流特性数和交流特性数据。最后,根据上述的器件模型和测试数据,进行模型参数提取工作,并给出基于模型仿真数据的验证结果。本文建立的功率VDMOS器件SPCIE模型具有明确的物理意义,模型仿真速度快、收敛性高；验证结果表明,直流特性模型的仿真曲线与测试数据之间的均方根误差均在5%以内,交流特性模型均在7%以内,并能直接应用于SPICE仿真软件,实现了论文的预期目标。