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FinFET因其具有良好的沟道控制效果,更低的功耗,更好的可微缩特性,已经成为了当今的主流工艺。但由于FinFET器件具有3D特性,其漏源......
大数据时代数据存储急剧增长,急需更高性能的存储器。在现有的新型非易失性存储器的横向对比中,铁电存储器（FeRAM）显示出低功耗、高......
近三十年来,半导体技术的发展遵循着摩尔定律,即器件特征尺寸大概每两年缩短一半。尺寸微缩造成有源器件面临着严峻的自热效应,会......
在信息爆炸式增长、超级计算能力日益重要的今天,依靠微缩晶体管提升计算性能的方式难以维持,冯诺依曼架构的存算分离瓶颈使这一问......
金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件建模是半导体技术研究的重要课题,它在半导体器件设计和参数优化中发挥着重要作用。......
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管(VDMOS)由于高输入阻抗、低驱动功率及高开关速度等优势,已广泛应用于各种功率集成电路......
非晶氧化锌薄膜晶体管(a-Zn O TFTs)在有源矩阵液晶显示(AMLCD)器件、固体图像传感器、化学传感器等应用中发挥越来越重要的作用。......
提供了一种应用于高电子迁移率晶体管(HEMT)的非线性紧凑模型。该模型针对传统的EE-HEMT模型理想缩放规律不准确的问题,提出采用一......
基于泊松方程和高斯定理,采用非迭代算法,在考虑非晶氧化锌薄膜晶体管（Amorphous zinc oxide thin film transistors,a-ZnO TFTs）带......
