半导体器件的表面绝缘,是不同于其它机电设备元件的绝缘要求的,它不仅仅要考虑绝缘材料的自身绝缘特性,而且要考虑到绝缘材料与半导体器件表面之间的接触特性,特别是界面电荷的形成与控制,这是半导体器件的绝缘区别于其它情况的一个最大特点.器件表面绝缘保护材料的电性能和含杂以及器件表面钝化保护后的界面状态、接触带电等因素是影响器件耐压特性的主要因素.激光探针OBIC法是用于测量平面和台面造型功率器件表面耗尽区展宽特性的有效方法,并可以广泛用于研究不同透明介质保护下的硅器件表面保护特性.在"211"行动计划自制设备项目的支持下,设计制造了新一代计算机控制激光探针表面耗尽区测量系统,并采用该系统研究了硅功率器件台面造型的表面耗尽区特性.该系统可快速、准确地直接观察到表面耗尽区的展宽特性,数字化处理过程满足了硅表面耗尽区特性分析的需要.结合OBIC法测量的结果,通过有限元法建立了相应的计算表面带电特性的计算方法.通过建立试样的有限元二维模拟模型,测量标准试样在不同电压下的表面耗尽区展宽,对保护材料带电特性进行了数值分析.研究了保护介质介电特性对试样表面耗尽区展宽的影响,并尝试建立一种基于OBIC法测量技术的研究硅表面与钝化保护材料接触带电的方法.为控制器件表面带电和高温下杂质离子输运引起电场集中,提出了采用导电高分子材料掺杂高纯半导体表面保护材料,引入了利用导电高分子材料电子电导抑制表面保护材料高温下离子电导的概念.利用聚苯胺掺杂高纯SP,获得了不同于纯SP的电阻率温度特性和介电特性,并从理论分析了这种导电机制.从结构分析和介质物理角度分析了聚苯胺-SP复合介质的特征属性,探讨了这些因素对该复合介质的电导特性的影响.研究了在器件保护上采用聚苯胺-SP复合介质的保护效果.最后研究了利用溶胶法制备粒径小于20nm的Ag金属颗粒,均匀分散到半导体表面保护材料SP后形成的复合介质的介电特性,并尝试用于硅器件表面保护.