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具有极高磁晶各向异性的L10相FePt合金，是下一代超高密磁记录介质的首选材料之一，所以近年来对L10-FePt薄膜的研究成为磁记录的一个热点。对于FePt体系来说，降低有序化温度、颗粒大小一致且彼此均匀由非磁材料分隔、晶粒c-轴沿面内或者垂直膜面取向是这一体系作为实用化磁记录介质(纵向或者垂直)要解决的三大问题。本文针对这三个问题进行了系统的研究。
对于FePt薄膜的低温有序化以及晶粒间交换耦合作用方面的研究，笔者制备了Ta/FePt/C、Ta/Bi/FePt/C系列多层膜，研究了Ta和Ta/Bi缓冲层的引入对于FePt薄膜有序相的形成以及FePt晶粒之间交换耦合作用的影响。实验发现，退火过程中，Ta原子沿着FePt晶粒边界向FePt层扩散，同时，Pt原子也向Ta缓冲层扩散，两者有效地促进了FePt薄膜有序相的形成，并一定程度上减小了FePt晶粒之间的交换耦合相互作用。当把很薄的Bi原子层插入到Ta层和FePt层之间后，Bi原子的低温扩散极大加强了Ta原子沿FePt晶粒边界向FePt层内的迁移，进一步强烈加速了FePt薄膜的有序化，同时更加有效地降低了FePt晶粒之间的交换耦合相互作用，这两点对于FePt基的磁记录介质材料走向实用化是非常重要的。
在FePt薄膜(001)取向问题的研究中，至今大部分研究者都采用加热MgO单晶基片的方法来外延生长有序化FePt(001)薄膜。由于MgO单晶基片昂贵，无法大规模应用于工业生产。本文采用室温下生长MgO底层诱导FePt薄膜(001)取向，研究了FePt(001)薄膜的有序化过程对FePt成分的依赖关系。首次发现，具有MgO底层的FePt(001)薄膜最容易实现有序化的成分在富Fe范围(Fe原子比59％)，而非通常的等原子比附近，更与加热MgO单晶基片对应的富Pt范围(Fe原子比38％)完全相反。此外，还研究了MgO底层的厚度对于FePt(001)薄膜的有序化以及磁特性的影响。实验发现，对于室温生长在MgO底层上的Fe59Pt41(001)薄膜，MgO底层厚度的改变可显著影响它的有序化进程，除MgO底层形貌的影响，笔者提出界面应力和FePt中的应力弛豫对FePt有序化具有重要作用。上述实验结果证明通过后加热处理室温下生长于MgO底层的FePt薄膜，是制备垂直取向有序化FePt薄膜的一条有效途径，而这一方法具有一些不同于通常基片加热原位制备(001)取向的有序化FePt薄膜的特点。